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不要再把掃描電鏡和透射電鏡搞混了!

更新時(shí)間:2022-10-18      點(diǎn)擊次數(shù):2729
  掃描電鏡是利用細(xì)聚焦電子束在樣品表面掃描時(shí)激發(fā)出來的各種物理信號(hào)來調(diào)制成像的。
  透射電鏡 ,是把經(jīng)加速和聚集的電子束投射到非常薄的樣品上,電子與樣品中的原子碰撞而改變方向,從而產(chǎn)生立體角散射。散射角的大小與樣品的密度、厚度相關(guān),因此可以形成明暗不同的影像,影像將在放大、聚焦后在成像器件(如熒光屏、膠片、以及感光耦合組件)上顯示出來。
  一、分析信號(hào)
  掃描電鏡
  掃描電子顯微鏡的制造是依據(jù)電子與物質(zhì)的相互作用。當(dāng)一束高能的入射電子轟擊物質(zhì)表面時(shí),被激發(fā)的區(qū)域?qū)a(chǎn)生二次電子、俄歇電子、特征x射線和連續(xù)譜X射線、背散射電子、透射電子,以及在可見、紫外、紅外光區(qū)域產(chǎn)生的電磁輻射。同時(shí),也可產(chǎn)生電子-空穴對(duì)、晶格振動(dòng)(聲子)、電子振蕩(等離子體)。原則上講,利用電子和物質(zhì)的相互作用,可以獲取被測(cè)樣品本身的各種物理、化學(xué)性質(zhì)的信息,如形貌、組成、晶體結(jié)構(gòu)、電子結(jié)構(gòu)和內(nèi)部電場(chǎng)或磁場(chǎng)等等。掃描電子顯微鏡正是根據(jù)上述不同信息產(chǎn)生的機(jī)理,采用不同的信息檢測(cè)器,使選擇檢測(cè)得以實(shí)現(xiàn)。如對(duì)二次電子、背散射電子的采集,可得到有關(guān)物質(zhì)微觀形貌的信息;對(duì)X射線的采集,可得到物質(zhì)化學(xué)成分的信息。
  透射電鏡
  電子束流具有波動(dòng)性,而且電子波的波長(zhǎng)比可見光要短得多(例如200千伏加速電壓下電子波波長(zhǎng)為0.00251納米),顯然,如果用電子束作光源制成的顯微鏡將具有比光學(xué)顯微鏡高得多的分辨能力。更重要的是,由于電子在電場(chǎng)中會(huì)受到電場(chǎng)力運(yùn)動(dòng),以及運(yùn)動(dòng)的電子在磁場(chǎng)中會(huì)受到洛倫茲力的作用而發(fā)生偏轉(zhuǎn),這使得使用科學(xué)手段使電子束聚焦和成像成為可能。
  二、結(jié)構(gòu)
  掃描電鏡
  1.鏡筒
  鏡筒包括電子槍、聚光鏡、物鏡及掃描系統(tǒng)。其作用是產(chǎn)生很細(xì)的電子束(直徑約幾個(gè)nm),并且使該電子束在樣品表面掃描,同時(shí)激發(fā)出各種信號(hào)。
  2.電子信號(hào)的收集與處理系統(tǒng)
  在樣品室中,掃描電子束與樣品發(fā)生相互作用后產(chǎn)生多種信號(hào),其中包括二次電子、背散射電子、X射線、吸收電子、俄歇(Auger)電子等。在上述信號(hào)中,最主要的是二次電子,它是被入射電子所激發(fā)出來的樣品原子中的外層電子,產(chǎn)生于樣品表面以下幾nm至幾十nm的區(qū)域,其產(chǎn)生率主要取決于樣品的形貌和成分。通常所說的掃描電鏡像指的就是二次電子像,它是研究樣品表面形貌的有用的電子信號(hào)。檢測(cè)二次電子的檢測(cè)器的探頭是一個(gè)閃爍體,當(dāng)電子打到閃爍體上時(shí),就在其中產(chǎn)生光,這種光被光導(dǎo)管傳送到光電倍增管,光信號(hào)即被轉(zhuǎn)變成電流信號(hào),再經(jīng)前置放大及視頻放大,電流信號(hào)轉(zhuǎn)變成電壓信號(hào),最后被送到顯像管的柵極。
  3.電子信號(hào)的顯示與記錄系統(tǒng)
  掃描電鏡的圖象顯示在陰極射線管(顯像管)上,并由照相機(jī)拍照記錄。顯像管有兩個(gè),一個(gè)用來觀察,分辨率較低,是長(zhǎng)余輝的管子;另一個(gè)用來照相記錄,分辨率較高,是短余輝的管子
  4.真空系統(tǒng)及電源系統(tǒng)
  掃描電鏡的真空系統(tǒng)由機(jī)械泵與油擴(kuò)散泵組成,其作用是使鏡筒內(nèi)達(dá)到10的真空度。
  電源系統(tǒng)供給各部件所需的特定的電源。
  透射電鏡
  1.電子光學(xué)部分
  整個(gè)電子光學(xué)部分*置于鏡筒之內(nèi),自上而下順序排列著電子槍、聚光鏡、樣品室、 物鏡、中間鏡、投影鏡、觀察室、熒光屏、照相機(jī)構(gòu)等裝置。根據(jù)這些裝置的功能不同又可將電子光學(xué)部分分為照明系統(tǒng)、樣品室、成像系統(tǒng)及圖像觀察和記錄系統(tǒng)。
  (1)照明系統(tǒng)
  照明系統(tǒng)由電子槍、聚光鏡和相應(yīng)的平移對(duì)中及傾斜調(diào)節(jié)裝置組成。它的作用是為成像系統(tǒng)提供一束亮度高、相干性好的照明光源。為滿足暗場(chǎng)成像的需要照明電子束可在2-3度范圍內(nèi)傾斜。
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  它由陰極、柵極和陽(yáng)極構(gòu)成。在真空中通電加熱后使從陰極發(fā)射的電子獲得較高的動(dòng)能形成定向高速電子流。
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  聚光鏡的作用是會(huì)聚從電子槍發(fā)射出來的電子束,控制照明孔徑角、電流密度和光斑尺寸。
  (2)樣品室
  樣品室中有樣品桿、樣品杯及樣品臺(tái)。
  (3)成像系統(tǒng)
  成像系統(tǒng)一般由物鏡、中間鏡和投影鏡組成。物鏡的分辨本領(lǐng)決定了電鏡的分辨本領(lǐng),中間鏡和投影鏡的作用是將來自物鏡的圖像進(jìn)一步放大。
  (4)圖像觀察與記錄系統(tǒng)
  該系統(tǒng)由熒光屏、照相機(jī)、數(shù)據(jù)顯示等組成。
  2.真空系統(tǒng)
  真空系統(tǒng)由機(jī)械泵、油擴(kuò)散泵、換向閥門、真空測(cè)量?jī)x奉及真空管道組成。它的作用是排除鏡筒內(nèi)氣體,使鏡筒真空度至少要在 托以上。如果真空度低的話,電子與氣體分子之間的碰撞引起散射而影響襯度,還會(huì)使電子?xùn)艠O與陽(yáng)極間高壓電離導(dǎo)zhi極間放電,殘余的氣體還會(huì)腐蝕燈絲,污染樣品。
  3.供電控制系統(tǒng)
  加速電壓和透鏡磁電流不穩(wěn)定將會(huì)產(chǎn)生嚴(yán)重的色差及降低電鏡的分辨本領(lǐng),所以加速電壓和透鏡電流的穩(wěn)定度是衡量電鏡性能好壞的一個(gè)重要標(biāo)準(zhǔn)。
  透射電鏡的電路主要由高壓直流電源、透鏡勵(lì)磁電源、偏轉(zhuǎn)器線圈電源、電子槍燈絲加熱電源,以及真空系統(tǒng)控制電路、真空泵電源、照相驅(qū)動(dòng)裝置及自動(dòng)曝光電路等部分組成。另外,許多高性能的電鏡上還裝備有掃描附件、能譜議、電子能量損失譜等儀器 。
  三、襯度原理
  掃描電鏡
  1、質(zhì)厚襯度
  質(zhì)厚襯度是非晶體樣品襯度的主要來源。樣品不同微區(qū)存在原子序數(shù)和厚度的差異形成的。來源于電子的非相干散射,Z越高,產(chǎn)生散射的比例越大;d增加,將發(fā)生更多的散射。不同微區(qū)Z和d的差異,使進(jìn)入物鏡光闌并聚焦于像平面的散射電子I有差別,形成像的襯度。Z較高、樣品較厚區(qū)域在屏上顯示為較暗區(qū)域。圖像上的襯度變化反映了樣品相應(yīng)區(qū)域的原子序數(shù)和厚度的變化。質(zhì)厚襯度受物鏡光闌孔徑和加速V的影響。選擇大孔徑(較多散射電子參與成像),圖像亮度增加,散射與非散射區(qū)域間的襯度降低。選擇低電壓(較多電子散射到光闌孔徑外),襯度提高,亮度降低。支持膜法和萃取復(fù)型,質(zhì)厚襯度圖像比較直觀。
  2、衍射襯度
  衍射襯度是來源于晶體試樣各部分滿足布拉格反射條件不同和結(jié)構(gòu)振幅的差異。例如電壓一定時(shí),入射束強(qiáng)度是一定的,假為L(zhǎng),衍射束強(qiáng)度為ID。在忽略吸收的情況下,透射束為L(zhǎng)-ID。這樣如果只讓透射束通過物鏡光闌成像,那么就會(huì)由于樣品中各晶面或強(qiáng)衍射或弱衍射或不衍射,導(dǎo)致透射束相應(yīng)強(qiáng)度的變化,從而在熒光屏上形成襯度。形成襯度的過程中,起決定作用的是晶體對(duì)電子束的衍射。
  (2)透射電鏡
  晶體結(jié)構(gòu)可以通過高分辨率透射電子顯微鏡來研究,這種技術(shù)也被稱為相襯顯微技術(shù)。當(dāng)使用場(chǎng)發(fā)射電子源的時(shí)候,觀測(cè)圖像通過由電子與樣品相互作用導(dǎo)致的電子波相位的差別重構(gòu)得出。然而由于圖像還依賴于射在屏幕上的電子的數(shù)量,對(duì)相襯圖像的識(shí)別更加復(fù)雜。
  非晶樣品透射電子顯微圖象襯度是由于樣品不同微區(qū)間存在的原子序數(shù)或厚度的差異而形成的,即質(zhì)量厚度襯度(質(zhì)量厚度定義為試樣下表面單位面積以上柱體中的質(zhì)量),也叫質(zhì)厚襯度。質(zhì)厚襯度適用于對(duì)復(fù)型膜試樣電子圖象作出解釋。質(zhì)量厚度數(shù)值較大的,對(duì)電子的吸收散射作用強(qiáng),使電子散射到光欄以外的要多,對(duì)應(yīng)較安的襯度。質(zhì)量厚度數(shù)值小的,對(duì)應(yīng)較亮的襯度。
  四、功能
  掃描電鏡
  1、掃描電鏡追求固體物質(zhì)高分辨的形貌,形態(tài)圖像(二次電子探測(cè)器SEI)-形貌分析(表面幾何形態(tài),形狀,尺寸)
  2、顯示化學(xué)成分的空間變化,基于化學(xué)成分的相鑒定---化學(xué)成分像分布,微區(qū)化學(xué)成分分析
  1)用x射線能譜儀或波譜(EDS or WDS)采集特征X射線信號(hào),生成與樣品形貌相對(duì)應(yīng)的,元素面分布圖或者進(jìn)行定點(diǎn)化學(xué)成分定性定量分析,相鑒定。
  2)利用背散射電子(BSE)基于平均原子序數(shù)(一般和相對(duì)密度相關(guān))反差,生成化學(xué)成分相的分布圖像;
  3)利用陰極熒光,基于某些痕量元素(如過渡金屬元素,稀土元素等)受電子束激發(fā)的光強(qiáng)反差,生成的痕量元素分布圖像。
  4)利用樣品電流,基于平均原子序數(shù)反差,生成的化學(xué)成分相的分布圖像,該圖像與背散射電子圖像亮暗相反。
  5)利用俄歇電子,對(duì)樣品物質(zhì)表面1nm表層進(jìn)行化學(xué)元素分布的定性定理分析。
  3、在半導(dǎo)體器件(IC)研究中的特殊應(yīng)用:
  1)利用電子束感生電流EBIC進(jìn)行成像,可以用來進(jìn)行集成電路中pn結(jié)的定位和損傷研究
  2)利用樣品電流成像,結(jié)果可顯示電路中金屬層的開、短路,因此電阻襯度像經(jīng)常用來檢查金屬布線層、多晶連線層、金屬到硅的測(cè)試圖形和薄膜電阻的導(dǎo)電形式。
  3)利用二次電子電位反差像,反映了樣品表面的電位,從它上面可以看出樣品表面各處電位的高低及分布情況,特別是對(duì)于器件的隱開路或隱短路部位的確定尤為方便。
  4、利用背散射電子衍射信號(hào)對(duì)樣品物質(zhì)進(jìn)行晶體結(jié)構(gòu)(原子在晶體中的排列方式),晶體取向分布分析,基于晶體結(jié)構(gòu)的相鑒定。
  透射電鏡
  早期的透射電子顯微鏡功能主要是觀察樣品形貌,后來發(fā)展到可以通過電子衍射原位分析樣品的晶體結(jié)構(gòu)。具有能將形貌和晶體結(jié)構(gòu)原位觀察的兩個(gè)功能是其它結(jié)構(gòu)分析儀器(如光鏡和X射線衍射儀)所不具備的。
  透射電子顯微鏡增加附件后,其功能可以從原來的樣品內(nèi)部組織形貌觀察(TEM)、原位的電子衍射分析(Diff),發(fā)展到還可以進(jìn)行原位的成分分析(能譜儀EDS、特征能量損失譜EELS)、表面形貌觀察(二次電子像SED、背散射電子像BED)和透射掃描像(STEM)。
  結(jié)合樣品臺(tái)設(shè)計(jì)成高溫臺(tái)、低溫臺(tái)和拉伸臺(tái),透射電子顯微鏡還可以在加熱狀態(tài)、低溫冷卻狀態(tài)和拉伸狀態(tài)下觀察樣品動(dòng)態(tài)的組織結(jié)構(gòu)、成分的變化,使得透射電子顯微鏡的功能進(jìn)一步的拓寬。
  透射電子顯微鏡功能的拓寬意味著一臺(tái)儀器在不更換樣品的情況下可以進(jìn)行多種分析,尤其是可以針對(duì)同一微區(qū)位置進(jìn)行形貌、晶體結(jié)構(gòu)、成分(價(jià)態(tài))的全面分析。
  五、對(duì)樣品要求
  掃描電鏡
  SEM制樣對(duì)樣品的厚度沒有特殊要求,可以采用切、磨、拋光或解理等方法將特定剖面呈現(xiàn)出來,從而轉(zhuǎn)化為可以觀察的表面。這樣的表面如果直接觀察,看到的只有表面加工損傷,一般要利用不同的化學(xué)溶液進(jìn)行擇優(yōu)腐蝕,才能產(chǎn)生有利于觀察的襯度。不過腐蝕會(huì)使樣品失去原結(jié)構(gòu)的部分真實(shí)情況,同時(shí)引入部分人為的干擾,對(duì)樣品中厚度極小的薄層來說,造成的誤差更大。
  透射電鏡
  由于TEM得到的顯微圖像的質(zhì)量強(qiáng)烈依賴于樣品的厚度,因此樣品觀測(cè)部位要非常的薄,例如存儲(chǔ)器器件的TEM樣品一般只能有10~100nm的厚度,這給TEM制樣帶來很大的難度。初學(xué)者在制樣過程中用手工或者機(jī)械控制磨制的成品率不高,一旦過度削磨則使該樣品報(bào)廢。TEM制樣的另一個(gè)問題是觀測(cè)點(diǎn)的定位,一般的制樣只能獲得10mm量級(jí)的薄的觀測(cè)范圍,這在需要精確定位分析的時(shí)候,目標(biāo)往往落在觀測(cè)范圍之外。目前比較理想的解決方法是通過聚焦離子束刻蝕(FIB)來進(jìn)行精細(xì)加工。